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  • 隔离式栅极驱动器的重要特性

    在功率电子(例如驱动技术)中,IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制,其主要损耗产生于开关期间。为了大程度减小开关损耗,要求具备较短的开关时间。然而,快速开关同时隐含着高压瞬变的危险,这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此,为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器,还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而,在选择栅极驱动器时,某些特性至关重要。图1.隔离式栅极驱动器ADuM4

  • 高铁能跑这么快?解密高铁最顶级技术

    这是列车的变流器,相当于高铁的大脑,而这大脑的核心则是一枚小小的芯片。指甲盖大小的芯片组成的IGBT可以处理6500V以上的超高电压,IGBT芯片工作时可以在短短1秒的时间内,实现10万次电流开关动作,从而驱动高铁飞速行驶。每只IGBT芯片的制造需要通过200多道工序,其中涉及半导体、机械、电子、计算机、材料和化工等多门复杂学科融合,目前在国际上能制造大功率IGBT芯片的企业也是少之又少。这项技术

  • ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiCMOSFET“SCT3xxxxR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiCMOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非